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晶圓翹曲應力測量儀

產(chǎn)品簡介

具備三維翹曲(平整度)及薄膜應力的檢測功能,適用于半導體晶圓生產(chǎn)、半導體制程工藝開發(fā)、玻璃及陶瓷晶圓生產(chǎn)

產(chǎn)品型號:
更新時間:2024-09-24
廠商性質:代理商
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晶圓翹曲應力測量儀

優(yōu)勢

√ 全口徑均勻采樣測量,采樣間隔最少可至0.1mm

√ 同時具備翹曲測量及應力測量功能

√ 直觀展現(xiàn)薄膜導致的晶圓形變,可計算任意角度的曲率及應力

√ 強大的附加模塊:薄膜應力變溫測量模塊(室溫到500℃)

√豐富的軟件分析功能,包括:三維翹曲圖、晶圓翹曲參數(shù)統(tǒng)計(BOW,WARP等)、ROI 析、薄膜應力及分布、應力隨時間變化、薄膜應力變溫測量、曲率計算、多項式擬合、空間濾波等多種后處理算法。

 

適用對象

2 - 8 英寸/12 英寸拋光晶圓(硅、砷化鎵、碳化硅等)、圖形化晶圓、鍵合晶圓、封裝晶圓等;液晶基板玻璃;各類薄膜工藝處理的表面

 

適用領域

√ 半導體及玻璃晶圓的生產(chǎn)和質量檢查

√ 半導體薄膜工藝的研究與開發(fā)

√ 半導體制程和封裝減薄工藝的過程控制和故障分析

 

檢測原理

√ 晶圓制程中會在晶圓表面反復沉積薄膜,基板與薄膜材料特性的差異導致晶圓翹曲,翹曲和薄膜應力會對工藝良率產(chǎn)生重要影響

√ 采用結構光反射成像方法測量晶圓的三維翹曲分布,通過翹曲曲率半徑測量來推算薄膜應力分布,具有非接觸、免機械掃描和高采樣率特點,晶圓全口徑測量時間低于30s

√ 通過Stoney公式及相關模型計算晶圓薄膜應力分布



晶圓翹曲應力測量儀

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